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名称 型号 封装 描述
MOS场效应管 SI2301CDS SOT-23 连续漏极电流(Id)3.1A
开关二极管 LL4148 SOD-80C 正向压降(Vf):1V
MOS场效应管 Si2302CDS SOT-23 连续漏极电流(Id)2.9A
钽电容 293D107X9016D2TE3 CASE-D_7343 工作温度:-55℃~125℃
超快恢复二极管 US1M-E3/61T SMA 正向压降(Vf):1.7V 
开关二极管 LS4148 SOD-80 正向压降(Vf):1V
通用二极管 ES1D-E3 SMA 正向压降(Vf):920mV 
雪崩二极管 BYV26C SOD-57 二极管配置:独立式
通用二极管 SF1600 SOD-57
开关二极管 1N4148WS SOD-323 正向压降(Vf):1.2V
肖特基二极管 VS-10MQ100NTRPBF SMA 正向压降(Vf):780mV 
肖特基二极管 B340A-E3 SMA 正向压降(Vf):550mV
MOS场效应管 Si2308BDS SOT-23-3 连续漏极电流(Id)2.3A
肖特基二极管 VS-10MQ040NTRPBF SMA 正向压降(Vf):540mV
雪崩二极管 BYV26E-TAP SOD-57 二极管配置:独立式 
稳压二极管 TZX14B-TAP DO-35 最大功率:500mW
红外发射管 TSML1020 SMD 波长:940nm 辐射强度
通用二极管 VS-2EFH02HM3 DO-219AB 正向压降(Vf):950mV
贴片高精度电阻 MCT06030C1001FP500 603 功率:1/8W 
TVS二极管 SMBJ3V3-E3 SMB 反向关断电压(典型值):3.3V
超快恢复二极管 ES1B-E3/61T SMA 正向压降(Vf):920mV 
ESD二极管 GSOT03C-E3-08 SOT-23-3
开关二极管 1N4148TR DO-35 正向压降(Vf):1V
MOS场效应管 Si2318CDS SOT-23 连续漏极电流(Id)5.6A
模拟开关芯片 DG411DY SOIC-16 模拟开关芯片
红外发射管 TSAL6200 Through Hole 波长:940nm 辐射强度:40
红外发射管 TSAL6100 Through Hole 波长:940nm 辐射强度:80
MELF电阻 SMM02040C1002FB300 SMM0204 功率:1/4W 精度:±1% 阻值
MOS场效应管 SI2304DDS SOT-23 连续漏极电流(Id)3.3A
MELF电阻 SMM02040C1009FB300 SMM0204 功率:1/4W 精度:±1%
雪崩二极管 BYG21M-E3 SMA 二极管配置:独立式 正向压降
TVS二极管 SMAJ5.0A-E3 SMA 反向关断电压(典型值):5V
环境光传感器 TEPT5700 Through Hole AmbientLightSensors
光耦 ILD207T SO-8 产品类型:晶体管输出 输入类型
ESD二极管 SMF5V0A-HE3-08 DO-219AB
安规电容 VY1102M35Y5UQ63V0 Through Hole Y5U
光耦 TCLT1003 SOP-4 产品类型:晶体管输出 输入类
发光二极管 TLMG1100-GS08 603 色温 - CCT(K):- 照明颜色
环境光传感器 TEPT4400 T-1
模拟开关芯片 DG419DY SOIC-8 单CMOS 模拟开关逻辑芯片
NTC热敏电阻 NTCS0603E3272JMT 603 功率:125mW 
红外接收管 BPW34 DIP-2 波长:850nm 电流 - 暗:2n
红外接收管 BPV10NF Through Hole 波长:940nm 电流 - 暗:1nA
光电开关 TCRT5000L Through Hole 950 nm 60 mA Through Hole
磁珠 ILHB1206ER121V 1206 额定电流(最大):6A 阻抗
整流桥 MB6S-E3/80 TO-269AA
光学传感器 TEKT5400S DIP-2
NTC热敏电阻 NTCS0805E3104FXT 805
开关二极管 BAV21W SOD-123
模拟开关芯片 DG411DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG419DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG408DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG408DQ-T1-E3
模拟开关芯片 DG408DY-E3
模拟开关芯片 DG412DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG413DY-E3
模拟开关芯片 DG441DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG403DY-T1-E3
模拟开关芯片 DG407DN-E3
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